（1）在整体研究方向的设计方面，利用等离子体处理技术制备氮化物电力电子器件技术成熟度高的优势，提出了基于氢离子注入工艺实现高功率密度、高工作频率GaN HEMT器件的思路，这一整体研究方向是本项目技术的最大创新之处。
（2）在增强型HEMT器件结构工艺优化方面，设计仅在栅电极区域之外的p-GaN层形成氢等离子体高阻钝化层。极佳的工艺兼容性可以避免离子注入对二维电子气沟道造成诱导损伤，从而有效恢复高阻钝化层下方的二维电子气，显著提升器件栅控能力和电流密度。另外，由于栅极区域之外的p-GaN层被钝化为高阻状态，显著降低了电极之间的漏电，进而提高器件的开关比和击穿电压。 
（3）在增强型HEMT器件栅驱动技术方面，结合充放电路径分离技术、自举浮动电源设计、EMI特性优化、无引线封装和高速PCB设计，进一步采用集成方式简化封装结构，减小驱动电路和功率器件的互连寄生电感，更适用于兆赫兹级大功率开关电源拓扑应用。

（1）在整体研究方向的设计方面，利用等离子体处理技术制备氮化物电力电子器件技术成熟度高的优势，提出了基于氢离子注入工艺实现高功率密度、高工作频率GaN HEMT器件的思路，这一整体研究方向是本项目技术的最大创新之处。
（2）在增强型HEMT器件结构工艺优化方面，设计仅在栅电极区域之外的p-GaN层形成氢等离子体高阻钝化层。极佳的工艺兼容性可以避免离子注入对二维电子气沟道造成诱导损伤，从而有效恢复高阻钝化层下方的二维电子气，显著提升器件栅控能力和电流密度。另外，由于栅极区域之外的p-GaN层被钝化为高阻状态，显著降低了电极之间的漏电，进而提高器件的开关比和击穿电压。 
（3）在增强型HEMT器件栅驱动技术方面，结合充放电路径分离技术、自举浮动电源设计、EMI特性优化、无引线封装和高速PCB设计，进一步采用集成方式简化封装结构，减小驱动电路和功率器件的互连寄生电感，更适用于兆赫兹级大功率开关电源拓扑应用。