本发明公开了一种具有复合结构的双向ESD防护器件,属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。所述器件主要由一P型浅掺杂衬底、N型掺杂阱、第一P型中掺杂阱、第二P型中掺杂阱、第一P型重掺杂注入区、第一N型重掺杂注入区、第二P型重掺杂注入区、第二N型重掺杂注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层、第三N型重掺杂注入区、第四N型重掺杂注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层和第五N型重掺杂注入区构成。本发明通过版图设计和利用P型中掺杂阱,提高器件内部寄生NPN三极管的基区浓度,降低内部寄生NPN三极管放大倍数,削弱寄生SCR结构的正反馈程度,可提高器件的维持电压,增强ESD鲁棒性。
商品类型 | 专利 | 申请号 | 201911132332.4 | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 普通许可 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 |
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