本发明提供一种CMOS辅助触发SCR结构的高压保护集成电路,属于集成电路的静电放电与浪涌防护领域。该高压保护集成电路包括嵌入式CMOS、SCR结构和金属线。本发明利用SCR的强ESD鲁棒性优点,通过在电路中嵌入MOS管结构,可实现快速响应和抗闩锁特性,并且,通过SCR与寄生三极管及MOS管并联导电,可达到较高的ESD电流泄放效率。此外,通过电路单元结构及版图设计优化,减少掩膜版数量,可在保证占用较小的芯片面积同时,兼顾较优的工艺兼容性及较低的制造成本。
商品类型 | 专利 | 申请号 | 202011437392.X | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 普通许可 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 |
¥ 150,000 元
面议
¥ 1,000,000 元
¥ 20,000 元